新浪科技讯 12月12日午间消息，近日，英特尔代工宣布芯片内互联技术取得重大突破，通过公司最新的减成法钌互连技术（subtractive Ruthenium）最高可将线间电容降低25%，有效改善了芯片内互连。

据介绍，减成法钌互连技术通过采用钌这一新型、关键、替代性的金属化材料，利用薄膜电阻率（thin film resistivity）和空气间隙（airgap），实现了在互连微缩方面的重大进步。该工艺无需通孔周围昂贵的光刻空气间隙区域（lithographic airgap exclusion zone），也可以避免使用选择性蚀刻的自对准通孔（self-aligned via）。在间距小于或等于 25 纳米时，im钱包官网下载采用减成法钌互连技术实现的空气间隙使线间电容最高降低 25%，可作为一种金属化方案在紧密间距层中替代铜镶嵌工艺。

据悉，这一解决方案有望在英特尔代工的未来制程节点中得以应用。

此外，英特尔代工还披露了一种用于先进封装的异构集成解决方案，能够将吞吐量提升高达100倍，实现超快速的芯片间封装（chip-to-chip assembly）。（文猛）

责任编辑：李铁民

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